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大芯超导有限公司元器件专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半导体碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块,BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC 混合IGBT单管,BASiC 混合IGBT模块,BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源,能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器,变换效率高,储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域,医疗电源,X射线高压电源,大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器,实现直流升压降压转换,储能PCS-Buck-Boost电路,高压侧接入PV直流侧,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑,低压侧接电池组。

基本半导体混合SiC功率... [详细介绍]
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